Hello Guest

Sign In / Register

Welcome,{$name}!

/ Выйти
русский
EnglishDeutschItaliaFrançais한국의русскийSvenskaNederlandespañolPortuguêspolskiSuomiGaeilgeSlovenskáSlovenijaČeštinaMelayuMagyarországHrvatskaDanskromânescIndonesiaΕλλάδαБългарски езикGalegolietuviųMaoriRepublika e ShqipërisëالعربيةአማርኛAzərbaycanEesti VabariikEuskera‎БеларусьLëtzebuergeschAyitiAfrikaansBosnaíslenskaCambodiaမြန်မာМонголулсМакедонскиmalaɡasʲພາສາລາວKurdîსაქართველოIsiXhosaفارسیisiZuluPilipinoසිංහලTürk diliTiếng ViệtहिंदीТоҷикӣاردوภาษาไทยO'zbekKongeriketবাংলা ভাষারChicheŵaSamoaSesothoCрпскиKiswahiliУкраїнаनेपालीעִבְרִיתپښتوКыргыз тилиҚазақшаCatalàCorsaLatviešuHausaગુજરાતીಕನ್ನಡkannaḍaमराठी
Главная > Новости > Завод Kioxia Fab7 начал строительство! Первая очередь строительства будет завершена весной следующего года.

Завод Kioxia Fab7 начал строительство! Первая очередь строительства будет завершена весной следующего года.

25 февраля Kioxia объявила, что провела церемонию закладки фундамента на своей фабрике в Йоккаити, префектура Мие, Япония, и официально открыла свой самый передовой завод полупроводников (Fab7).

В пресс-релизе говорится, что завод станет одним из самых современных заводов в мире по производству собственной флеш-памяти 3D BiCS FlashTM. Строительство нового завода будет разделено на два этапа, первый этап которого планируется завершить весной 2022 года.


Новый завод Fab7 является совместным предприятием Kioxia и Western Digital. Он будет иметь амортизирующую структуру и экологически безопасный дизайн, включая новейшее энергосберегающее производственное оборудование. Завод будет способствовать дальнейшему увеличению производственных мощностей Kioxia за счет внедрения передовой производственной системы AI.


Kioxia Fab7 Factory

До этого (20 февраля) Kioxia и Western Digital объявили, что обе стороны сотрудничали в разработке 162-слойной технологии флеш-памяти шестого поколения. В пресс-релизе отмечалось, что на сегодняшний день это самая передовая технология трехмерной флэш-памяти наивысшей плотности среди двух компаний. По сравнению с технологией пятого поколения плотность массива ячеек по горизонтали увеличилась на 10%. По сравнению с технологией наложения 112 слоев, это усовершенствование горизонтального масштабирования в сочетании с вертикальной памятью наложения на 162 уровня уменьшает размер кристалла на 40% и оптимизирует стоимость.

Kioxia заявила, что она успешно установила отношения сотрудничества с Western Digital на протяжении многих лет и надеется продолжить инвестировать в фабрику Fab7, включая создание шестого поколения флеш-памяти 3D.