Главная > Новости > Прорвать! Kioxia разработала 170-слойную флеш-память NAND

Прорвать! Kioxia разработала 170-слойную флеш-память NAND

Японский производитель микросхем Kioxia разработал около 170 слоев флэш-памяти NAND и получил эту передовую технологию вместе с Micron и SK Hynix.


В Nikkei Asian Review сообщается, что эта новая память NAND была разработана совместно с Western Digital, партнером из США, и ее скорость записи данных более чем в два раза выше, чем у текущего топового продукта Kioxia (112 слоев).

Кроме того, Kioxia также успешно установила больше ячеек памяти на каждом уровне новой NAND, что означает, что по сравнению с памятью такой же емкости она может уменьшить размер чипа более чем на 30%. Микросхемы меньшего размера обеспечат большую гибкость при создании смартфонов, серверов и других продуктов.

Сообщается, что Kioxia планирует запустить свою новую NAND на проходящей Международной конференции по твердотельным схемам и, как ожидается, начнет массовое производство уже в следующем году.

Kioxia надеется удовлетворить спрос, связанный с центрами обработки данных и смартфонами, с развитием технологии 5G, более масштабной и более быстрой передачей данных. Однако конкуренция в этой сфере усилилась. Micron и SK Hynix анонсировали 176-слойную NAND раньше Kioxia.

Чтобы увеличить выпуск флеш-памяти, Kioxia и Western Digital планируют этой весной построить фабрику в Йоккаити, Япония, стоимостью 1 триллион иен (9,45 миллиарда долларов). Их цель - открыть первые производственные линии в 2022 году. Кроме того, Kioxia также приобрела множество заводов рядом с заводом в Китаками в Японии, чтобы иметь возможность расширять производственные мощности по мере необходимости в будущем.