2019 Q2 Hynix будет производить 10-нм техпроцесс второго поколения

  SK hynix недавно сообщила, что компания увеличит производство DRAM первого поколения 10 нм (т.е. 1X нм) и начнет продавать технологию изготовления 10 нм второго поколения (также известную как 1Y нм) во второй половине год. Объем памяти. Ускорение перехода на технологию 10 нм позволит компании увеличить выпуск DRAM, в конечном итоге сократив затраты и подготовившись к памяти нового поколения.

Первой продукцией, изготовленной с использованием технологии производства SK Hynix 1Y nm, станет чип памяти DDR4-3200 8 Гб. Производитель заявляет, что может уменьшить размер микросхемы 8-гигабайтных устройств DDR4 на 20% и снизить энергопотребление на 15% по сравнению с аналогичными устройствами, изготовленными по технологии 1X нм. Кроме того, новый чип DDR4-3200 от SK hynix имеет два важных улучшения: 4-фазная схема тактирования и технология управления усилителем Sense.

Хотя эти технологии важны даже для DDR4 в этом году, говорят, что SK hynix будет использовать свой 1Y нм производственный процесс для производства DDR5, LPDDR5 и GDDR6 DRAM. Поэтому Hynix должен обновить свою технологию производства второго поколения по 10 нанометров как можно скорее, чтобы подготовиться к будущему.