Ожидается, что первая линия по производству 8-дюймовых пластин GaN от Samsung начнет массовое производство уже во втором квартале

Согласно сообщению южнокорейского издания The Elec, первая линия Samsung по производству 8-дюймовых пластин нитрида галлия (GaN), как ожидается, будет запущена в массовое производство уже во втором квартале 2026 года, при этом первоначальный доход, по прогнозам, останется ниже 100 миллиардов вон.

В отчете отмечается, что Samsung создала комплексную экосистему решений GaN, охватывающую все, кроме проектирования чипов, и обладает способностью самостоятельно производить эпитаксиальные пластины GaN.

Кроме того, в этом году Samsung планирует запустить линию по производству силовых полупроводников из карбида кремния (SiC).Компания обладает комплексными возможностями в сегменте SiC, включая разработку, которая может дополнять технологию GaN в различных диапазонах напряжений.

Предыдущие отчеты также показали, что Samsung инвестировала примерно от 100 до 200 миллиардов вон в современное технологическое оборудование, включая системы MOCVD Aixtron, для поддержки обработки пластин кремния-галлия и нитрида галлия.