Hello Guest

Sign In / Register

Welcome,{$name}!

/ Выйти
русский
EnglishDeutschItaliaFrançais한국의русскийSvenskaNederlandespañolPortuguêspolskiSuomiGaeilgeSlovenskáSlovenijaČeštinaMelayuMagyarországHrvatskaDanskromânescIndonesiaΕλλάδαБългарски езикGalegolietuviųMaoriRepublika e ShqipërisëالعربيةአማርኛAzərbaycanEesti VabariikEuskera‎БеларусьLëtzebuergeschAyitiAfrikaansBosnaíslenskaCambodiaမြန်မာМонголулсМакедонскиmalaɡasʲພາສາລາວKurdîსაქართველოIsiXhosaفارسیisiZuluPilipinoසිංහලTürk diliTiếng ViệtहिंदीТоҷикӣاردوภาษาไทยO'zbekKongeriketবাংলা ভাষারChicheŵaSamoaSesothoCрпскиKiswahiliУкраїнаनेपालीעִבְרִיתپښتوКыргыз тилиҚазақшаCatalàCorsaLatviešuHausaગુજરાતીಕನ್ನಡkannaḍaमराठी
Главная > Новости > Samsung впервые применяет технологию EUV для производства DRAM

Samsung впервые применяет технологию EUV для производства DRAM

По сообщению ZDnet, Samsung объявила, что успешно применила технологию EUV для производства DRAM.

Компания Samsung поставила 1 миллион 10-нм модулей DDR4 DRAM, изготовленных по технологии EUV, и была оценена заказчиками. Samsung сказал, что завершение оценки проложит путь для массового производства новых DRAM в следующем году.

Производственная линия Samsung V2 только для EUV на заводе в Пхёнтэке начнет производство модулей DRAM во второй половине года. Ожидается, что производственная линия будет выпускать 10-нм DDR5 и LPDDR5 4-го поколения.

Это еще один чип, выпускаемый заводом в Пхёнтэке, в дополнение к 7-нм логическим чипам, использующим технологию EUV. Samsung утверждает, что технология EUV удвоит эффективность производства одной 12-дюймовой пластины.

Ожидается, что мировые производители полупроводников, такие как Samsung, Intel и TSMC, расширят использование технологии EUV в производстве чипов. Samsung ранее заявлял, что планирует использовать технологию EUV для производства 3-нм чипов.