Главная > Новости > После получения бизнеса Intel SK Hynix стремится быть лидером рынка в Nand Flash-памяти

После получения бизнеса Intel SK Hynix стремится быть лидером рынка в Nand Flash-памяти

Согласно BusinessCorea, председатель СК Hynix Lee Seok-Hee, заявил на собрании акционеров, состоявшиеся 30 марта, состоявшиеся 30 марта, что компания стремится стать лидером на мировом рынке флэш-памяти NAND через синергизм с отделением Intel Nand Flash Marking. Отказ

SK Hynix объявила в октябре прошлого года, что оно подписало соглашение о приобретении с Intel для приобретения последнего NATN Flash-памяти и хранения бизнеса на 10,3104 триллиона (приблизительно RMB 60,4 млрд.).

Ли XIX сказал, что SK Hynix имеет преимущество в мобильном поле NAND, а Intel имеет преимущество в бизнесе ESSD, поэтому они могут максимизировать синергию.


В настоящее время SK Hynix только за Samsung Electronics и является вторым по величине в мире производителем драм. Приобретая NAND Flash Memory Business от Intel, компания, скорее всего, останется лидером на мировом рынке флэш-памяти NAND, как и в индустрии DRAM.

Ли XIX указывал, что, когда он предположил пост председателя два года назад, один из его целей должен был сделать рыночную стоимость компании достичь 100 трлн. Компания достигла этой цели в начале этого года. Теперь SK Hynix установит свою цель еще выше, то есть сосредоточиться на расширении бизнеса Flash-памяти DRAM и NAT и расширение ценностей акционеров на основе экологической, социальной и управления (ESG).

Ли XIX да еще раз объяснил три направления интенсивных инвестиционно-исследовательских и разработок, управление ESG и будущих двигателей роста.

В частности, SK Hynix планирует установить базы R & D в Соединенных Штатах и ​​Европе и будет стремиться к продвижению концепции «RE100» 100% возобновляемых источников энергии и чистого нулевого углерода. Что касается будущего роста двигателя, компания будет искать и инвестировать в перспективные компании в различных областях, таких как искусственный интеллект (AI), автономное вождение и 5 г.